MATERIAAL | DEPOSITIE TECHNOLOGIE | DICHTHEID g/cm3 | sp3% | HARDHEID GPa | WRIJVINGSCOËFFICIËNT |
DIAMANT | NATUURLIJK | 3.52 | 100 | 100 | 0,02~0,10 |
a-C | SPUTTEREND | 1.9~2.4 | 25 | 11~24 | 0.10~0.15 |
a-C:H:M | REACTIEF SPUTTEREND | 1.9~2.4 |
| 10~20 | 0,10~0,20 |
a-C:H | RF SPUTTEREND | 1.57~1.70 |
| 16~40 | 0,02~0,47 |
a-C,a-C:H | IONEN STRAAL | 1.8~3.5 |
| 32~75 | 0,06~0,19 |
ta-C | MAGNEETFILTER | 2.8~3.0 | 85~95 | 40~80 | 0,04~0,14 |
Ta-C | PLD | 2.4 | 85~95 | 40~80 | 0,03~0,15 |
NAMI DIAMANT | PLD | 2.9~3.5 | 75 | 80~100 |
|